Kad SD/MicroSD Berdaya Tahan Tinggi, Kependaman Rendah ATP Dibina untuk Dashcam, DVR Menawarkan Lebih 109K Jam Rakaman Video Berterusan

Siri S650 dalam TLC asli mengatasi kad lain dengan ketahanan 1.6X lebih tinggi;
Siri S750 dalam mod pSLC mencapai ketahanan 2X lebih tinggi

TAIPEI, Taiwan, July 14, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) — ATP Electronics, peneraju global dalam penyelesaian storan dan ingatan khusus, memperkenalkan sel tahap tiga tahap tiga (TLC) S750/S650 Siri SD dan kad memori mikroSD yang dibina untuk menghadapi kesukaran rakaman video tanpa henti. Kad ini memenuhi ketahanan tinggi, kependaman rendah dan keperluan penyimpanan data terbina untuk ketahanan bagi kamera pemuka dan perakam video digital (DVR), serta sistem pengawasan, kenderaan autonomi dan aplikasi intensif tulis yang lain.

Ketahanan Tinggi Lebih 109K Jam¹ Masa Rakaman dalam TLC Asli
Bukti video boleh membuktikan dalam banyak senario kritikal; oleh itu, adalah sangat penting untuk kad SD/microSD merakam tanpa henti tanpa menjejaskan kualiti dan integriti imej. Siri S650 boleh merakam video HD Penuh secara berterusan sehingga 109,401 jam — jauh lebih lama daripada kad serupa yang dipasarkan sebagai “daya tahan tinggi.” Siri S650 adalah berdasarkan kitaran program/padam (P/E) 5K, yang diterjemahkan kepada ketahanan 1.6X lebih tinggi daripada kad memori biasa dengan kitaran P/E 3K. Siri S750, dikonfigurasikan sebagai sel peringkat tunggal pseudo (pSLC) adalah berdasarkan kitaran P/E 60K, manakala kad memori pSLC biasa dinilai untuk kitaran P/E sekitar 20K hingga 30K.

Graf² berikut menunjukkan hasil simulasi ketahanan ATP S650 128 GB microSD berbanding dengan kad berjenama ketahanan tinggi lain yang mempunyai kapasiti yang sama, dalam mod HD penuh.

Waktu Rakaman Maksimum Ketahanan Tinggi: ATP S650 lwn. Kad Ketahanan Tinggi Lain
——————
Nota:
¹ Diuji menggunakan kad TLC ATP S650 128 GB berdasarkan 13 Mbps (kadar bit terendah rakaman HD) dalam senario kes terbaik/ideal, tanpa faktor lain yang mempengaruhi.
² Maklumat yang diperoleh oleh ATP daripada data yang tersedia untuk umum.

• Untuk merekod data baharu, data tertua akan ditimpa apabila kad penuh.
• 1Mbps=1,000,000 bps

Latensi Rendah: Sedia untuk Merekod dalam <1 Saat, Menulis 50% Lebih Cepat
Selepas kuasa dihidupkan, perakam pemacu mungkin perlu menunggu beberapa saat untuk bersedia untuk rakaman. Masa antara perintah baca pertama dan arahan tulis pertama daripada hos ialah “masa tindak balas.” Kad ATP S650 dan S750 Series mengambil masa kurang daripada 1 saat manakala kad biasa mungkin mengambil masa 7 hingga 12 saat berdasarkan ujian sebenar pada DVR pada suhu bilik.

Semasa merakam data 16 MB secara berurutan, kad ATP S650 mengambil masa kurang daripada 0.1 saat, menjimatkan 50% masa menulis berbanding dengan kad yang dinilai pengguna dan membolehkan sandaran berkelajuan tinggi tanpa kehilangan data.

Ciri Reka Bentuk HW/FW Sendiri Menawarkan Kebolehpercayaan Tepat
Sebagai pengeluar sebenar dengan keupayaan perkakasan/perisian tegarnya sendiri, ATP boleh menyesuaikan diri dengan pelbagai penggunaan untuk memenuhi keperluan dan syarat aplikasi khusus pelanggan. Berdasarkan aplikasi pelanggan, ATP melakukan yang terbaik untuk memenuhi keperluan dengan reka bentuk FW dan HW yang unik.

• Penentukuran Auto-Baca (ARC). Dari masa ke masa dan dengan penggunaan berterusan, sel memori kilat NAND merosot, menyebabkan anjakan voltan yang meningkatkan kadar ralat bit (BER). Apabila fungsi Baca Semula biasa tidak mencukupi untuk memulihkan ralat, “Penentukuran Bacaan Auto” (ARC) yang lebih tepat digunakan untuk memastikan integriti data pada suhu melampau atau sel NAND yang terdegradasi.
• Metodologi ATP untuk Analisis Kad Lanjutan. Kad memori ATP diperakui IP67/IP57 dan dikilangkan menggunakan proses wafer/die System-in-Package (SiP), menjadikannya sukar untuk melakukan analisis komponen berbanding proses SMT (teknologi lekapan permukaan). Substrat yang direka bentuk secara unik dan alat nyahpepijat menjadikan misi ini “mungkin”.
  1. Reka Bentuk Perkakasan Dibangunkan ATP – Substrat dengan pin ujian terpelihara tersedia untuk analisis komponen masa hadapan.
  2. Penyingkiran Topeng Pateri dengan Laser – Kaedah yang tepat dan cekap untuk menanggalkan topeng pateri supaya dapat mencapai pin ujian yang dikhaskan pada substrat.
  3. Alat Nyahpepijat Tersuai ATP – Ini disambungkan kepada pin ujian simpanan HW dan kemudian dipautkan kepada sistem analisis SW.

Untuk maklumat lanjut tentang metodologi analisis kad lanjutan ATP, sila ke: https://www.youtube.com/watch?v=89Lm_eC3mSU

Spesifikasi

Bagi pelanggan yang memerlukan ciri atau teknologi khusus aplikasi, ATP menawarkan perkhidmatan penyesuaian nilai tambah yang merangkumi perisian tegar dan perkakasan serta pembungkusan dan penampilan (label, pencetakan dan penandaan).

Untuk maklumat lanjut tentang kad SD/microSD Siri S750/S650, lawati:

https://www.atpinc.com/products/industrial-sd-cards
https://www.atpinc.com/products/industrial-microsd-usd-cards

Hubungan Media pada Siaran Akhbar: Kelly Lin (Kellylin@tw.atpinc.com)

Ikuti ATP Electronics di LinkedIn: https://www.linkedin.com/company/atp-electronics

Mengenai ATP

ATP Electronics (“ATP”) telah mendedikasikan 30 tahun kecemerlangan pembuatan sebagai pembekal utama memori dan produk storan kilat NAND untuk aplikasi terbenam/perindustrian/automotif yang ketat. Sebagai “Pemimpin Global dalam Penyelesaian Penyimpanan dan Memori Khusus,” ATP terkenal dengan kepakarannya dalam penyelesaian terma dan ketahanan tinggi. ATP komited untuk menyampaikan nilai tambah, pembezaan dan TCO terbaik untuk pelanggan. Pengilang sebenar, ATP menguruskan setiap peringkat proses pembuatan untuk memastikan kualiti dan jangka hayat produk. ATP menjunjung standard tertinggi tanggungjawab sosial korporat dengan memastikan nilai yang mampan untuk pekerja, alam sekitar dan perniagaan di seluruh rantaian bekalan global. Untuk maklumat lanjut tentang ATP Electronics, sila lawati www.atpinc.com atau hubungi kami di info@atpinc.com.

Foto yang disertakan dengan pengumuman ini tersedia di

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/bba3f651-5d95-43f6-b8bb-cd7d2e1f639c/ms

https://www.globenewswire.com/NewsRoom/AttachmentNg/1222a5e7-fcc0-4927-a482-13df5f61720e/ms